Samsung realizza i primi chip di memoria UtRAM per i cellulari

Samsung Electronics ha annunciato ieri di aver sviluppato i primi chip di memoria da 256-Megabit (Mb) di tipo uni-transistor random access memory (UtRAM), utilizzando un processo produttivo a 90-nanometri. I nuovi chip, i cui campioni saranno offerti a partire dal mese prossimo alle aziende che producono telefoni cellulari, offrono una velocità di accesso alle informazioni quasi due volte superiore ai più veloci chip pseudo-SRAM disponibili attualmente, l'ideale per le funzionalità multimediali avanzate dei cellulari 3G di fascia alta. L'azienda coreana prevede di iniziare la produzione su vasta scala dei chip UtRAM da 256Mb per la fine dell'anno.