La
tecnologia 14-nm FinFET rappresenta l'ultima frontiera per i processori e, in particolare, sarà impiegata sui chip alla base dei nuovi top di gamma
Galaxy S6 e
Galaxy S Edge che Samsung annuncerà domenica prossima al Mobile World Congress di Barcellona.
Samsung ad ogni modo sta già pensando alla futura generazione di chip 10-nm FinFET, come l'azienda ha confermato all' International Solid State Circuits Conference (ISSCC) in corso questa settimana a San Francisco. I nuovi chip saranno caratterizzati da una miniaturizzazione ancora più spinta, con prestazioni migliori e consumi energetici ridotti ulteriormente.
Oltre al processo di fabbricazione a 10nm, Samsung ha illustrato i propri progetti per DRAM a 10nm e la nuova tecnologia 3D V-NAND per i chip. Bisognerà attendere con molta probabilità il prossimo anno per i primi chip della gamma Exynos a 10nm, per cui è ragionevole aspettarsi il loro impiego sui futuri Galaxy S7 o Galaxy Note 6 .