Intel annuncia i rivoluzionari transtor tri-gate ad architettura 3D

5 Maggio 2011 | PuntoCellulare.it

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Intel ha annunciato una svolta davvero significativa nell'evoluzione del transistor, il microscopico elemento di base dei moderni dispositivi elettronici. Per la prima volta dopo l'invenzione dei transistor in silicio, avvenuta oltre 50 anni fa, entreranno in produzione, in grandi volumi, dei transistor dotati di una struttura tridimensionale. Intel inizierà la produzione in massa del rivoluzionario progetto di transistor 3D denominato tri-gate - annunciato per la prima volta da Intel nel 2002 - con processo di produzione a 22 nanometri (nm), in un chip Intel conosciuto con il nome in codice 'Ivy Bridge'. Un nanometro equivale a un miliardesimo di metro.

I transistor tri-gate tridimensionali rappresentano un cambiamento radicale rispetto alla struttura planare bidimensionale su cui sono basati, da diversi decenni, non solo tutti i computer, telefoni cellulari e dispositivi elettronici di largo consumo, ma anche i controlli elettronici disponibili all'interno di automobili, aeromobili, elettrodomestici, dispositivi medici e migliaia di altri dispositivi di uso quotidiano.

I vantaggi di una struttura 3D sono sempre stati riconosciuti dai ricercatori, poiché permettono di mantenere il ritmo della Legge di Moore, in quanto la continua riduzione delle dimensioni dei dispositivi viene alla fine limitata dalle leggi fisiche. La chiave di questa rivoluzione è la capacità di Intel di implementare il nuovo progetto dei transistor tri-gate 3D in una produzione in grandi quantità, entrando nella nuova era della Legge di Moore e aprendo le porte a una nuova generazione di innovazioni in un'ampia gamma di dispositivi. La Legge di Moore è una previsione relativa alla velocità di sviluppo della tecnologia del silicio, in base alla quale la densità dei transistor raddoppia approssimativamente ogni 2 anni, incrementando funzionalità e prestazioni, riducendone i costi. Costituisce il modello fondamentale di business per il settore dei semiconduttori da oltre 40 anni.

Con i transistor tri-gate 3D di Intel, i chip operano a una tensione inferiore e con una minore dispersione di elettricità, per offrire una combinazione straordinaria di prestazioni migliorate ed efficienza energetica rispetto ai precedenti transistor. Queste potenzialità offrono ai designer la flessibilità di scegliere transistor destinati al basso consumo o alle prestazioni elevate, a seconda dell'applicazione implementata.

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