Accertati i problemi di memoria su iPhone 6 ed iPhone 6 Plus da 64 e 128GB

8 Novembre 2014 | Max Capitosti

A quanto pare non sono del prive di fondamento le recenti segnalazioni di problemi di memoria registrati da alcuni possessori di un nuovo iPhone 6 ed iPhone 6 Plus. Gli inconvenienti, ironia della sorte, riguardano in particolare i modelli con 64 e 128GB, quelli che Apple vende ad un prezzo più elevato.

Secondo quanto riportato da BusinessKorea l'origine del problema è da identificare nella particolare memoria flash NAND a tecnologia TLC (triple-level cell) utilizzata da Apple sulle versioni da 64 e 128GB di iPhone 6 ed iPhone 6 Plus, il cui controller (prodotto da Anobit, azienda acquisita da Apple) provoca rallentamenti in lettura e scrittura e, in alcuni casi, blocchi delle applicazioni o addirittura dello smartphone.

iPhone 6 iPhone 6 Plus

Apple ha scelto dei chip di memoria TLC per il loro costo ridotto. La tecnologia prevede che ogni cella venga utilizzata per gestire 3 bit, a differenza dei chip di memoria MLC (multi-level cell) o SLC (single-level cell) con una cella rispettivamente per 2 bit o 1 bit. Si prevede che Apple passi a breve (sempre che non l'abbia già fatto nei nuovi lotti in produzione) a chip di memoria MLC, una soluzione che implica un leggero aumento dei costi di fabbricazione.

Per gli attuali iPhone 6 ed iPhone 6 Plus da 64 e 128GB in circolazione non sono previste sostituzioni o richiami, gli inconvenienti dovrebbero essere risolti tramite l'aggiornamento ad iOS 8.1.1 in arrivo nei prossimi giorni (che stranamente è stato rilasciato in versione beta - mai successo per un 'minor update').

La domanda a questo punto che sorge spontanea è perchè Apple avrebbe deciso di passare da memorie TLC a più costose memorie MLC se basterebbe una modifica software per risolvere ogni problema ? Dopo il 'bend gate' per le scocche facili da piegare, Apple potrebbe essere coinvolta in un ancora più clamoroso 'memory gate'. Il nuovo iOS 8.1.1 potrebbe infatti risolvere gli inconvenienti limitandosi a ridurre la velocità di lettura e scrittura della memoria, provocando però un calo delle prestazioni.SEGUICI SU
FACEBOOKSEGUICI SU
TELEGRAMNOTIZIE CORRELATE