Una memoria UFS 2.0 per i prossimi Samsung Galaxy S6 e Galaxy Note 5

13 Novembre 2014 | Max Capitosti

I prossimi top di gamma Samsung Galaxy S6 e Galaxy Note 5, secondo quanto riportato dalla pubblicazione coreana ETNews, saranno caratterizzati da una novità significativa per quanto riguarda la memoria interna, con l'adozione della tecnologia di ultima generazione UFS 2.0 (Universal Flash Storage).

Le memorie NAND flash a tecnologia UFS possono raggiungere velocità paragonabili a quelle dei dischi SSD, ma hanno costi di produzione contenuti, allo stesso livello delle memorie eMMC. Con una velocità fino a 1.2GB/s le memorie UFS sono tre volte più performanti di quelle a tecnologia eMMC e, oltretutto, consumano meno corrente elettrica, scongiurando la possibilità di una diminuzione dei tempi di autonomia a seguito della loro adozione su uno smartphone.

Samsung prevede l'inizio della produzione delle memorie UFS 2.0 NAND già nelle prossime settimane. Oltre che per gli smartphone, le nuove memorie saranno impiegate nei prossimi mesi da Samsung anche sulle schede microSD ed SD. Anche Xiaomi, stando a fonti attendibili, ha in programma di utilizzare memorie UFS 2.0 NAND su alcuni dei nuovi top di gamma del 2015.SEGUICI SU
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