Qualcomm adotta la tecnologia FinFET a 10nm di Samsung per lo Snapdragon 835

17 Novembre 2016 | Rosa Camilleri

Qualcomm e Samsung hanno annunciato una collaborazione sulla tecnologia di processo a 10nm FinFET per il nuovo processore Snapdragon 835.

'Siamo lieti di continuare a lavorare insieme a Samsung nello sviluppo di prodotti in grado di guidare l'industria del mobile. Attraverso il nuovo processo a 10nm ci aspettiamo di consentire al nostro processore di fascia premium Snapdragon 835 di assicurare una migliore efficienza energetica e nelle performance, permettendoci di aggiungere nuove funzionalità in grado di migliorare l'esperienza utente dei dispositivi mobili di domani', ha commentato Keith Kressin, vice presidente senior per il product management di Qualcomm.

Samsung è stata la prima azienda del settore, lo scorso mese, ad annunciare di aver adottato la tecnologia a 10nm FinFET su un processo di fabbricazione a larga scala. Rispetto alla precedente tecnologia a 14nm, quella a 10nm di Samsung assicura il 30 per cento di efficienza in più a livello di superficie, un aumento del 27 per cento delle performance e una riduzione del 40 per cento dei consumi.

Lo Snapdragon 835 sarà caratterizzato di conseguenza da un ingombro inferiore sulle schede elettroniche, dando ai produttori la possibilità di adottare batterie più capienti o scocce più compatte. I primi smartphone con Snapdragon 835 sono attesi sul mercato nel corso della prima metà del prossimo anno.SEGUICI SU
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