Samsung annuncia il primo chip di memoria eUFS 2.1 da 1TB
30 Gennaio 2019 | Roberto Bracco
SAMSUNG MEMORIE CERCA Giusto in tempo per trovare impiego sugli smartphone della gamma Galaxy S10, Samsung ha annunciato oggi di aver iniziato la produzione su larga scala del primo chip di memoria eUFS 2.1 da 1TB di capacità.
Il chip misura soltanto 11.5 x 13 millimetri, grazie alla sovrapposizione di 16 livelli di memorie V-NAND flash e ad un controller proprietario è stato possibile raddoppiare la capacità della precedente generazione di memorie.
L'evoluzione delle memorie Samsung negli ultimi anni
La nuova memoria eUFS 2.1 da 1TB di Samsung vanta una velocità in scrittura sequenziale di 260MB/s e in lettura di 1.000MB/s. Lo spazio di 1TB consente di archiviare 260 video da 10 minuti in formato 4K UHD, contro i 13 video che è possibile gestire su una microSD da 64GB (che oltretutto è 10 volte più lenta).SEGUICI SU
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