A quanto pare non sono del prive di fondamento le recenti segnalazioni di
problemi di memoria registrati da alcuni possessori di un nuovo
iPhone 6 ed
iPhone 6 Plus. Gli inconvenienti, ironia della sorte, riguardano in particolare i modelli con 64 e 128GB, quelli che Apple vende ad un prezzo più elevato.
Secondo quanto riportato da BusinessKorea l'origine del problema è da identificare nella particolare memoria flash NAND a tecnologia TLC (triple-level cell) utilizzata da Apple sulle versioni da 64 e 128GB di iPhone 6 ed iPhone 6 Plus, il cui controller (prodotto da Anobit, azienda acquisita da Apple) provoca rallentamenti in lettura e scrittura e, in alcuni casi, blocchi delle applicazioni o addirittura dello smartphone.
Apple ha scelto dei chip di memoria TLC per il loro costo ridotto. La tecnologia prevede che ogni cella venga utilizzata per gestire 3 bit, a differenza dei chip di memoria MLC (multi-level cell) o SLC (single-level cell) con una cella rispettivamente per 2 bit o 1 bit. Si prevede che Apple passi a breve (sempre che non l'abbia già fatto nei nuovi lotti in produzione) a chip di memoria MLC, una soluzione che implica un leggero aumento dei costi di fabbricazione.
Per gli attuali iPhone 6 ed iPhone 6 Plus da 64 e 128GB in circolazione non sono previste sostituzioni o richiami, gli inconvenienti dovrebbero essere risolti tramite l'aggiornamento ad
iOS 8.1.1 in arrivo nei prossimi giorni (che stranamente è stato rilasciato in versione beta - mai successo per un 'minor update').
La domanda a questo punto che sorge spontanea è perchè Apple avrebbe deciso di passare da memorie TLC a più costose memorie MLC se basterebbe una modifica software per risolvere ogni problema ? Dopo il '
bend gate' per le scocche facili da piegare, Apple potrebbe essere coinvolta in un ancora più clamoroso 'memory gate'. Il nuovo iOS 8.1.1 potrebbe infatti risolvere gli inconvenienti limitandosi a ridurre la velocità di lettura e scrittura della memoria, provocando però un calo delle prestazioni.