Negli ultimi giorni le indiscrezioni sul Samsung
Galaxy S8 hanno iniziato a prendere corpo, soprattutto alla luce della possibilità di un
lancio anticipato che consenta alla casa madre di far dimenticare lo scandalo della batteria del
Galaxy Note 7.
Il chip Exynos 8895 del Galaxy S8, secondo la notizia riportata sui social network cinesi da fonti non ufficiali, avrebbe raggiunto nei benchmark una frequenza operativa di ben 3.0 GHz e un miglioramento delle performance grafiche superiore del 70% rispetto all'attuale generazione di chip Exynos.
Samsung potrebbe utilizzare su Exynos 8895 per la prima volta un processo di fabbricazione a 10nm, per ottenere un consumo massimo di soli 5W. Nelle rilevazioni di Geekbench sarebbero stati raggiunti valori di 2301 e 7019 rispettivamente in modalità Single e Multi Core.